STMicroelectronics(简称ST)公司成功开发了iNEMO Ultra产品-始终开启（Always-On）、高性能6轴加速度计和陀螺仪双芯片LSM6DS3，该芯片提供业界LX的杂讯性能，同时采用先进且高效的系统功耗管理技术，测试结果证明，在低功耗模式下，该产品能效比同级Z好的产品还高20%。下面SITRI就为大家带来LSM6DS3的工艺解析摘要。

封装平面：

ST的LSM6DS3的封装尺寸为2.99 mm X 2.52 mm X 0.83 mm，采用了LGA封装，共14个pin脚。

封装X-Ray：

ST的LSM6DS3里共有2颗芯片，分别是MEMS芯片(3轴加速度计和3轴陀螺仪)、和一颗加速度计和陀螺仪共用的ASIC芯片，一共使用了40条打线（如下图所示）。封装纵向：

从下图ST的LSM6DS3的封装纵向可以看出里面2颗芯片的大致分布。加速度计和陀螺仪MEMS位于上面，而共用的ASIC芯片则分布在下面（如下图所示）。同时，纵向分析也得出了LSM6DS3中的MEMS采用了传统的含铅玻璃熔融键合技术（如下图所示）。ASIC芯片：

ST的LSM6DS3加速度计和陀螺仪MEMS的共用ASIC芯片尺寸为2.66 mm X 1.96 mm，厚度为64.54 um，采用了7层平坦化铝布线制程，其中Metal6为铜布线，含有1层多晶的CMOS技术，工艺节点为0.11 um。加速度计MEMS工艺分析：

ST的LSM6DS3的加速度计MEMS部分的SEM照片样张如下图所示，SITRI还做了加速度计部分的纵向分析，纵向样张见下面第二张图，更多的平面细节和纵向细节请看SITRI的LSM6DS3的工艺分析报告。陀螺仪MEMS工艺分析：

ST的LSM6DS3的陀螺仪MEMS部分的SEM照片样张如下图所示，SITRI也做了陀螺仪部分的纵向分析，纵向样张见下面第二张图，更多的平面细节和纵向细节请看SITRI的LSM6DS3的工艺分析报告。总结：以上是对于ST的LSM6DS3芯片的工艺分析概览，Z后奉上这颗芯片的数据总结。